檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "陳永芳".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="黃鶯聲"
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本論文主要利用無接點電場調制反射(CER)、光激發螢光光譜(PL)、以及表面光電壓(SPS)等量測技術，研究隨溫度變化之稀量磁性半導體 (Diluted magnetic semiconductor…
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本論文主要利用表面光電壓(SPV)與光激發螢光(PL)光譜來研究在溫度變化下，加入不同In含量之高應力InxGa1-xAs/GaAs量子井結構的光學特性，其中In成分為x = 0.395 ~ 0.4…
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本論文是利用表面光電壓光譜 (surface photovoltage spectroscopy, SPS) 、光激發螢光光譜 (photoluminescence, PL) 、無接點電場調制反射 …
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本論文是以光激螢光光譜 (PL)，針對由15K至300K的溫度變化範圍中所得之結果來探討烏采結構 (Wurtzite) 的硒化鋅鈹鎘(Cd1-x-yBexZnySe) 四元化合物晶體之光學特性,並以…
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本論文是以無接點電場調制反射(CER) 、光子調制反射(PR)及光激發螢光光譜(PL)量測技術, 針對由15K至400K的溫度變化範圍中所得之結果來探討烏采結構(Wurtzite)的硒化鋅鈹鎘(Cd…
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我們利用表面光電壓光譜(SPS)、光激螢光激發光譜(PL)及螢光激發光譜(PLE)三種量測方式來探討由固態源分子束磊晶(SSMBE)所組成的砷化銦/砷化鎵量子點結構中有無覆蓋砷化銦鎵層的光學特性。利…
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本論文主要利用表面光電壓(SPV)與光激發螢光(PL)光譜來研究加入少量不同N含量之In0.176Ga0.824P0.98N0.02 / GaP薄膜。由表面光電壓(SPV)與光激發螢光(PL)光譜，…
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本論文利用光子調制、非接觸式電場調制、光子穿透、表面光電壓光譜、波長調制表面光電壓光譜及光激發光譜研究含Sb及N化合物GaAsSbN及InGaPN薄膜、GaAsSb/GaAs、InGaAs(Sb)/…
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本論文是以化學氣相傳導法利用三氯化碘(ICl3)為傳導劑成長β-In2S3及物理氣相傳輸法成長InS及In6S7來得到此硫化銦系列半導體之晶體，同時對此系列晶體之特性藉由光學量測的方式對其特性加以研…
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本論文主要對於金屬氧化物半導體薄膜奈米結構中alpha相單斜結構三氧化二鉍(alpha-Bi2O3)、立方結構三氧化二銦(c-In2O3)以及岩鹽結構(rock-salt)氧化鎳(NiO)加以研究以…